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日照市(五莲县、莒县、岚山区、东港区)

内江市(东兴区、威远县、隆昌市、市中区、资中县)

莆田市(仙游县、荔城区、秀屿区、涵江区、城厢区)

徐州市(泉山区、新沂市、铜山区、鼓楼区、沛县、邳州市、贾汪区、丰县、睢宁县、云龙区)  黄南藏族自治州(河南蒙古族自治县、泽库县、同仁市、尖扎县)

泰安市(宁阳县、泰山区、肥城市、岱岳区、新泰市、东平县)

百色市(田东县、德保县、隆林各族自治县、那坡县、乐业县、田林县、靖西市、西林县、平果市、凌云县、右江区、田阳区)

龙岩市(上杭县、武平县、永定区、新罗区、连城县、漳平市、长汀县)

海口市(秀英区、龙华区、美兰区、琼山区)  湘潭市(岳塘区、湘乡市、雨湖区、湘潭县、韶山市)

黔东南苗族侗族自治州(天柱县、镇远县、岑巩县、剑河县、黎平县、施秉县、雷山县、三穗县、从江县、凯里市、台江县、榕江县、丹寨县、麻江县、锦屏县、黄平县)

孝感市(应城市、大悟县、汉川市、安陆市、孝南区、孝昌县、云梦县)

自贡市(贡井区、荣县、富顺县、自流井区、大安区、沿滩区)

塔城地区(和布克赛尔蒙古自治县、塔城市、沙湾市、裕民县、额敏县、托里县、乌苏市)

日喀则市(仁布县、昂仁县、定结县、拉孜县、萨嘎县、谢通门县、白朗县、亚东县、仲巴县、吉隆县、康马县、桑珠孜区、萨迦县、江孜县、南木林县、岗巴县、聂拉木县、定日县)

廊坊市(大厂回族自治县、三河市、文安县、霸州市、固安县、广阳区、永清县、安次区、大城县、香河县)

丹东市(凤城市、振兴区、元宝区、宽甸满族自治县、东港市、振安区)

金昌市(永昌县、金川区)

永州市(蓝山县、江永县、冷水滩区、双牌县、江华瑶族自治县、零陵区、祁阳市、东安县、宁远县、新田县、道县)

怀化市(新晃侗族自治县、辰溪县、会同县、麻阳苗族自治县、芷江侗族自治县、洪江市、中方县、靖州苗族侗族自治县、鹤城区、溆浦县、通道侗族自治县、沅陵县)

宣城市(旌德县、泾县、宣州区、郎溪县、绩溪县、广德市、宁国市)

长春市(南关区、绿园区、二道区、双阳区、九台区、公主岭市、榆树市、农安县、德惠市、朝阳区、宽城区)

贵阳市(南明区、白云区、清镇市、开阳县、修文县、观山湖区、花溪区、息烽县、乌当区、云岩区)

滁州市(全椒县、明光市、南谯区、来安县、琅琊区、天长市、凤阳县、定远县)

金华市(金东区、兰溪市、武义县、东阳市、浦江县、义乌市、磐安县、永康市、婺城区)

温州市(洞头区、龙湾区、乐清市、苍南县、永嘉县、鹿城区、泰顺县、瓯海区、平阳县、龙港市、文成县、瑞安市)

益阳市(沅江市、赫山区、资阳区、桃江县、安化县、南县)

南通市(海安市、如皋市、通州区、海门区、如东县、启东市、崇川区)

秦皇岛市(昌黎县、山海关区、卢龙县、抚宁区、青龙满族自治县、北戴河区、海港区)

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伊犁哈萨克自治州(霍城县、伊宁县、巩留县、尼勒克县、霍尔果斯市、昭苏县、奎屯市、伊宁市、察布查尔锡伯自治县、特克斯县、新源县)

沧州市(黄骅市、海兴县、孟村回族自治县、东光县、任丘市、南皮县、泊头市、肃宁县、青县、运河区、沧县、献县、河间市、盐山县、吴桥县、新华区)

柳州市(融安县、柳江区、融水苗族自治县、城中区、柳北区、柳南区、鹿寨县、鱼峰区、柳城县、三江侗族自治县)

通辽市(科尔沁区、科尔沁左翼后旗、科尔沁左翼中旗、霍林郭勒市、扎鲁特旗、开鲁县、奈曼旗、库伦旗)  阿拉善盟(阿拉善左旗、阿拉善右旗、额济纳旗)

内蒙古自治区

洛阳市(汝阳县、瀍河回族区、洛宁县、伊川县、老城区、宜阳县、西工区、偃师区、栾川县、嵩县、涧西区、新安县、孟津区、洛龙区)

河源市(连平县、东源县、和平县、源城区、龙川县、紫金县)荆州市(公安县、沙市区、洪湖市、松滋市、监利市、江陵县、石首市、荆州区)

丽水市(缙云县、松阳县、莲都区、遂昌县、云和县、景宁畲族自治县、龙泉市、庆元县、青田县)  延边朝鲜族自治州(安图县、龙井市、敦化市、汪清县、图们市、和龙市、延吉市、珲春市)

西宁市(湟中区、城中区、城东区、大通回族土族自治县、城西区、湟源县、城北区)

文山壮族苗族自治州(麻栗坡县、西畴县、砚山县、富宁县、文山市、马关县、广南县、丘北县)

威海市(文登区、荣成市、环翠区、乳山市)榆林市(绥德县、吴堡县、榆阳区、靖边县、府谷县、清涧县、神木市、子洲县、定边县、佳县、横山区、米脂县)

衢州市(开化县、龙游县、常山县、江山市、柯城区、衢江区)

西安市(阎良区、长安区、高陵区、灞桥区、临潼区、蓝田县、未央区、新城区、碑林区、莲湖区、周至县、雁塔区、鄠邑区)

滨州市(滨城区、沾化区、阳信县、无棣县、惠民县、邹平市、博兴县)

鹤壁市(淇滨区、鹤山区、浚县、山城区、淇县)

来宾市(金秀瑶族自治县、合山市、象州县、兴宾区、忻城县、武宣县)

邢台市(广宗县、南宫市、临城县、清河县、襄都区、平乡县、任泽区、宁晋县、南和区、新河县、柏乡县、信都区、内丘县、沙河市、隆尧县、巨鹿县、威县、临西县)

焦作市(沁阳市、温县、解放区、武陟县、马村区、山阳区、修武县、孟州市、博爱县、中站区)

湖州市(南浔区、长兴县、安吉县、德清县、吴兴区)

邵阳市(邵阳县、城步苗族自治县、大祥区、邵东市、武冈市、新宁县、双清区、洞口县、隆回县、北塔区、新邵县、绥宁县)

山南市(错那市、曲松县、桑日县、洛扎县、琼结县、扎囊县、浪卡子县、措美县、贡嘎县、隆子县、乃东区、加查县)

无锡市(锡山区、新吴区、宜兴市、梁溪区、惠山区、滨湖区、江阴市)

中山市

昌都市(八宿县、卡若区、洛隆县、察雅县、边坝县、江达县、左贡县、芒康县、丁青县、类乌齐县、贡觉县)

济源市

宝鸡市(凤县、陈仓区、千阳县、陇县、渭滨区、岐山县、眉县、凤翔区、麟游县、金台区、扶风县、太白县)

阳泉市(郊区、盂县、城区、矿区、平定县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。