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四平市(梨树县、伊通满族自治县、双辽市、铁西区、铁东区)

阿坝藏族羌族自治州(金川县、黑水县、若尔盖县、理县、汶川县、马尔康市、小金县、九寨沟县、松潘县、红原县、茂县、壤塘县、阿坝县)

兰州市(安宁区、西固区、永登县、皋兰县、榆中县、城关区、红古区、七里河区)

铜川市(王益区、印台区、耀州区、宜君县)  商洛市(山阳县、丹凤县、商州区、镇安县、商南县、柞水县、洛南县)

吉安市(吉水县、遂川县、泰和县、青原区、井冈山市、永丰县、永新县、安福县、万安县、峡江县、新干县、吉州区、吉安县)

内蒙古自治区

南充市(高坪区、顺庆区、仪陇县、营山县、南部县、蓬安县、西充县、嘉陵区、阆中市)

广元市(利州区、昭化区、剑阁县、朝天区、苍溪县、青川县、旺苍县)  绵阳市(游仙区、北川羌族自治县、江油市、盐亭县、梓潼县、三台县、安州区、涪城区、平武县)

襄阳市(老河口市、枣阳市、南漳县、保康县、樊城区、宜城市、襄城区、谷城县、襄州区)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿图什市、乌恰县、阿克陶县、阿合奇县)

宁夏回族自治区

湘西土家族苗族自治州(保靖县、凤凰县、泸溪县、吉首市、花垣县、永顺县、龙山县、古丈县)

庆阳市(华池县、西峰区、正宁县、环县、镇原县、宁县、合水县、庆城县)

菏泽市(鄄城县、东明县、成武县、巨野县、曹县、单县、定陶区、郓城县、牡丹区)

潮州市(潮安区、湘桥区、饶平县)

宁波市(江北区、宁海县、慈溪市、象山县、鄞州区、海曙区、镇海区、奉化区、余姚市、北仑区)

来宾市(忻城县、金秀瑶族自治县、武宣县、象州县、兴宾区、合山市)

赣州市(瑞金市、寻乌县、全南县、南康区、崇义县、章贡区、会昌县、石城县、赣县区、信丰县、安远县、定南县、兴国县、龙南市、于都县、大余县、上犹县、宁都县)

邯郸市(鸡泽县、邯山区、涉县、成安县、曲周县、临漳县、魏县、复兴区、大名县、广平县、峰峰矿区、永年区、磁县、丛台区、邱县、武安市、馆陶县、肥乡区)

张家口市(张北县、阳原县、下花园区、桥东区、涿鹿县、沽源县、尚义县、宣化区、蔚县、怀来县、赤城县、桥西区、万全区、崇礼区、怀安县、康保县)

铁岭市(银州区、开原市、西丰县、调兵山市、铁岭县、清河区、昌图县)

天水市(甘谷县、秦州区、麦积区、武山县、清水县、秦安县、张家川回族自治县)

舟山市(岱山县、定海区、嵊泗县、普陀区)

许昌市(魏都区、建安区、长葛市、鄢陵县、禹州市、襄城县)

温州市(龙港市、文成县、乐清市、苍南县、洞头区、龙湾区、平阳县、瑞安市、永嘉县、泰顺县、鹿城区、瓯海区)

朝阳市(双塔区、北票市、喀喇沁左翼蒙古族自治县、朝阳县、龙城区、建平县、凌源市)

文山壮族苗族自治州(麻栗坡县、富宁县、马关县、西畴县、砚山县、丘北县、文山市、广南县)

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郴州市(永兴县、苏仙区、桂东县、桂阳县、安仁县、嘉禾县、北湖区、宜章县、汝城县、资兴市、临武县)

珠海市(金湾区、斗门区、香洲区)

甘孜藏族自治州(甘孜县、雅江县、稻城县、康定市、色达县、新龙县、泸定县、九龙县、得荣县、巴塘县、乡城县、石渠县、白玉县、道孚县、炉霍县、理塘县、德格县、丹巴县)

包头市(青山区、固阳县、土默特右旗、白云鄂博矿区、昆都仑区、达尔罕茂明安联合旗、东河区、九原区、石拐区)  东莞市

香港特别行政区

临沂市(临沭县、兰陵县、莒南县、郯城县、河东区、兰山区、费县、沂南县、平邑县、沂水县、罗庄区、蒙阴县)

南平市(光泽县、松溪县、政和县、邵武市、建阳区、浦城县、延平区、建瓯市、顺昌县、武夷山市)眉山市(丹棱县、洪雅县、东坡区、青神县、仁寿县、彭山区)

淮南市(凤台县、谢家集区、潘集区、田家庵区、寿县、八公山区、大通区)  柳州市(城中区、柳南区、柳江区、鱼峰区、融水苗族自治县、融安县、三江侗族自治县、柳城县、鹿寨县、柳北区)

塔城地区(裕民县、塔城市、额敏县、和布克赛尔蒙古自治县、沙湾市、托里县、乌苏市)

衡阳市(雁峰区、南岳区、耒阳市、祁东县、衡阳县、珠晖区、蒸湘区、衡南县、石鼓区、衡东县、衡山县、常宁市)

宝鸡市(凤县、扶风县、太白县、凤翔区、眉县、陇县、陈仓区、麟游县、岐山县、渭滨区、千阳县、金台区)信阳市(新县、淮滨县、浉河区、罗山县、潢川县、光山县、商城县、平桥区、固始县、息县)

吴忠市(盐池县、红寺堡区、利通区、青铜峡市、同心县)

上饶市(余干县、广丰区、玉山县、婺源县、横峰县、广信区、万年县、鄱阳县、铅山县、弋阳县、德兴市、信州区)

临沧市(镇康县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、临翔区、云县、沧源佤族自治县、永德县、凤庆县、耿马傣族佤族自治县)

贵港市(覃塘区、桂平市、港北区、港南区、平南县)

哈尔滨市(阿城区、延寿县、南岗区、道外区、宾县、五常市、木兰县、巴彦县、平房区、尚志市、道里区、方正县、依兰县、香坊区、通河县、呼兰区、松北区、双城区)

清远市(连南瑶族自治县、连州市、佛冈县、英德市、连山壮族瑶族自治县、阳山县、清城区、清新区)

百色市(右江区、田林县、西林县、德保县、凌云县、田东县、田阳区、隆林各族自治县、那坡县、乐业县、靖西市、平果市)

海北藏族自治州(祁连县、刚察县、海晏县、门源回族自治县)

海西蒙古族藏族自治州(格尔木市、乌兰县、德令哈市、都兰县、茫崖市、天峻县)

连云港市(灌云县、赣榆区、灌南县、海州区、连云区、东海县)

宜昌市(宜都市、远安县、秭归县、枝江市、兴山县、五峰土家族自治县、伍家岗区、夷陵区、点军区、当阳市、猇亭区、长阳土家族自治县、西陵区)

广州市(白云区、海珠区、南沙区、增城区、花都区、黄埔区、荔湾区、天河区、番禺区、从化区、越秀区)

亳州市(涡阳县、谯城区、利辛县、蒙城县)

佛山市(高明区、三水区、顺德区、禅城区、南海区)

成都市(邛崃市、成华区、金堂县、都江堰市、锦江区、大邑县、武侯区、温江区、简阳市、蒲江县、新津区、崇州市、青白江区、金牛区、双流区、新都区、郫都区、龙泉驿区、彭州市、青羊区)

上海市(虹口区、浦东新区、黄浦区、金山区、静安区、长宁区、徐汇区、奉贤区、青浦区、普陀区、崇明区、宝山区、杨浦区、松江区、嘉定区、闵行区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。