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清远市(英德市、清新区、佛冈县、连山壮族瑶族自治县、连州市、阳山县、连南瑶族自治县、清城区)

锦州市(凌海市、北镇市、凌河区、太和区、古塔区、义县、黑山县)

日照市(东港区、五莲县、莒县、岚山区)

温州市(平阳县、乐清市、永嘉县、苍南县、龙港市、鹿城区、洞头区、龙湾区、瓯海区、瑞安市、文成县、泰顺县)  烟台市(莱山区、蓬莱区、牟平区、福山区、海阳市、莱阳市、莱州市、栖霞市、龙口市、招远市、芝罘区)

乌鲁木齐市(天山区、头屯河区、达坂城区、新市区、水磨沟区、沙依巴克区、乌鲁木齐县、米东区)

运城市(盐湖区、平陆县、永济市、闻喜县、万荣县、新绛县、垣曲县、河津市、夏县、芮城县、稷山县、临猗县、绛县)

广州市(海珠区、南沙区、黄埔区、越秀区、增城区、番禺区、白云区、花都区、从化区、天河区、荔湾区)

海北藏族自治州(门源回族自治县、祁连县、海晏县、刚察县)  那曲市(聂荣县、色尼区、尼玛县、比如县、申扎县、双湖县、索县、巴青县、安多县、班戈县、嘉黎县)

孝感市(应城市、云梦县、大悟县、汉川市、孝昌县、孝南区、安陆市)

德阳市(罗江区、广汉市、旌阳区、绵竹市、什邡市、中江县)

淮安市(清江浦区、盱眙县、金湖县、涟水县、淮阴区、洪泽区、淮安区)

双鸭山市(尖山区、岭东区、宝山区、宝清县、饶河县、四方台区、友谊县、集贤县)

黔西南布依族苗族自治州(晴隆县、兴义市、安龙县、册亨县、贞丰县、普安县、望谟县、兴仁市)

铁岭市(调兵山市、昌图县、银州区、开原市、西丰县、铁岭县、清河区)

长治市(潞城区、沁源县、襄垣县、潞州区、黎城县、武乡县、平顺县、上党区、沁县、长子县、壶关县、屯留区)

宁波市(余姚市、北仑区、奉化区、镇海区、鄞州区、慈溪市、宁海县、江北区、象山县、海曙区)

五指山市(琼海市、定安县、乐东黎族自治县、白沙黎族自治县、琼中黎族苗族自治县、万宁市、陵水黎族自治县、屯昌县、文昌市、东方市、昌江黎族自治县、临高县、保亭黎族苗族自治县、澄迈县)

湖州市(吴兴区、南浔区、长兴县、安吉县、德清县)

楚雄彝族自治州(元谋县、禄丰市、牟定县、南华县、大姚县、武定县、姚安县、永仁县、双柏县、楚雄市)

宁德市(福安市、霞浦县、柘荣县、蕉城区、寿宁县、屏南县、周宁县、古田县、福鼎市)

日喀则市(定结县、桑珠孜区、仁布县、亚东县、岗巴县、萨迦县、仲巴县、萨嘎县、聂拉木县、定日县、拉孜县、江孜县、白朗县、吉隆县、康马县、南木林县、昂仁县、谢通门县)

池州市(贵池区、石台县、青阳县、东至县)

西安市(蓝田县、临潼区、周至县、灞桥区、阎良区、新城区、未央区、鄠邑区、高陵区、碑林区、莲湖区、长安区、雁塔区)

宣城市(泾县、旌德县、郎溪县、广德市、绩溪县、宁国市、宣州区)

漳州市(长泰区、芗城区、南靖县、龙文区、华安县、诏安县、漳浦县、云霄县、东山县、平和县、龙海区)

六安市(金安区、舒城县、霍邱县、叶集区、金寨县、霍山县、裕安区)

深圳市(龙华区、光明区、宝安区、坪山区、盐田区、龙岗区、福田区、南山区、罗湖区)

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扬州市(高邮市、广陵区、江都区、仪征市、宝应县、邗江区)

来宾市(武宣县、兴宾区、忻城县、合山市、象州县、金秀瑶族自治县)

长沙市(浏阳市、芙蓉区、宁乡市、望城区、开福区、岳麓区、天心区、长沙县、雨花区)

宜宾市(屏山县、叙州区、江安县、南溪区、长宁县、高县、兴文县、珙县、翠屏区、筠连县)  乌海市(海南区、乌达区、海勃湾区)

晋中市(左权县、介休市、昔阳县、灵石县、太谷区、和顺县、平遥县、榆次区、榆社县、寿阳县、祁县)

周口市(商水县、沈丘县、扶沟县、淮阳区、郸城县、太康县、鹿邑县、川汇区、项城市、西华县)

贵港市(桂平市、港北区、平南县、港南区、覃塘区)珠海市(金湾区、斗门区、香洲区)

连云港市(连云区、东海县、赣榆区、海州区、灌南县、灌云县)  玉树藏族自治州(治多县、玉树市、称多县、曲麻莱县、杂多县、囊谦县)

眉山市(洪雅县、青神县、东坡区、仁寿县、丹棱县、彭山区)

襄阳市(宜城市、保康县、樊城区、襄城区、老河口市、枣阳市、襄州区、南漳县、谷城县)

吕梁市(岚县、文水县、离石区、临县、石楼县、方山县、汾阳市、交口县、兴县、柳林县、孝义市、中阳县、交城县)焦作市(温县、武陟县、山阳区、孟州市、沁阳市、中站区、修武县、马村区、博爱县、解放区)

沧州市(献县、东光县、盐山县、肃宁县、泊头市、新华区、河间市、运河区、沧县、吴桥县、南皮县、海兴县、任丘市、青县、孟村回族自治县、黄骅市)

怒江傈僳族自治州(兰坪白族普米族自治县、福贡县、泸水市、贡山独龙族怒族自治县)

黄南藏族自治州(尖扎县、河南蒙古族自治县、泽库县、同仁市)

丽江市(玉龙纳西族自治县、永胜县、华坪县、宁蒗彝族自治县、古城区)

台州市(玉环市、三门县、温岭市、路桥区、仙居县、黄岩区、天台县、临海市、椒江区)

阜新市(彰武县、新邱区、海州区、细河区、清河门区、阜新蒙古族自治县、太平区)

伊犁哈萨克自治州(奎屯市、霍城县、特克斯县、察布查尔锡伯自治县、尼勒克县、伊宁县、巩留县、伊宁市、霍尔果斯市、昭苏县、新源县)

辽源市(东丰县、东辽县、龙山区、西安区)

亳州市(涡阳县、利辛县、谯城区、蒙城县)

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昆明市(呈贡区、盘龙区、安宁市、嵩明县、晋宁区、禄劝彝族苗族自治县、东川区、石林彝族自治县、西山区、五华区、寻甸回族彝族自治县、宜良县、富民县、官渡区)

哈尔滨市(木兰县、香坊区、阿城区、呼兰区、平房区、依兰县、尚志市、宾县、方正县、双城区、五常市、道里区、南岗区、松北区、巴彦县、延寿县、通河县、道外区)

随州市(曾都区、广水市、随县)

马鞍山市(博望区、和县、花山区、雨山区、含山县、当涂县)

迪庆藏族自治州(维西傈僳族自治县、德钦县、香格里拉市)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。