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榆林市(绥德县、榆阳区、定边县、府谷县、子洲县、靖边县、佳县、吴堡县、清涧县、横山区、米脂县、神木市)

池州市(贵池区、东至县、石台县、青阳县)

锦州市(凌河区、太和区、黑山县、凌海市、义县、北镇市、古塔区)

烟台市(莱阳市、龙口市、栖霞市、芝罘区、莱州市、海阳市、牟平区、莱山区、福山区、蓬莱区、招远市)  石嘴山市(惠农区、平罗县、大武口区)

安顺市(普定县、西秀区、紫云苗族布依族自治县、镇宁布依族苗族自治县、关岭布依族苗族自治县、平坝区)

伊春市(伊美区、南岔县、汤旺县、乌翠区、铁力市、金林区、友好区、嘉荫县、大箐山县、丰林县)

眉山市(东坡区、彭山区、丹棱县、仁寿县、青神县、洪雅县)

宿迁市(泗阳县、泗洪县、宿城区、宿豫区、沭阳县)  随州市(曾都区、广水市、随县)

和田地区(墨玉县、策勒县、和田县、皮山县、和田市、洛浦县、于田县、民丰县)

银川市(灵武市、金凤区、兴庆区、贺兰县、永宁县、西夏区)

韶关市(乐昌市、武江区、南雄市、仁化县、翁源县、乳源瑶族自治县、新丰县、曲江区、始兴县、浈江区)

重庆市(綦江区、江津区、北碚区、丰都县、永川区、奉节县、合川区、武隆区、渝中区、开州区、璧山区、云阳县、万州区、大渡口区、石柱土家族自治县、涪陵区、巫溪县、巫山县、酉阳土家族苗族自治县、长寿区、铜梁区、秀山土家族苗族自治县、潼南区、南川区、南岸区、荣昌区、城口县、垫江县、黔江区、渝北区、沙坪坝区、九龙坡区、彭水苗族土家族自治县、梁平区、忠县、江北区、巴南区、大足区)

泉州市(南安市、德化县、永春县、金门县、安溪县、晋江市、洛江区、丰泽区、鲤城区、惠安县、泉港区、石狮市)

郴州市(资兴市、汝城县、苏仙区、永兴县、临武县、桂阳县、安仁县、桂东县、北湖区、宜章县、嘉禾县)

漯河市(郾城区、舞阳县、召陵区、临颍县、源汇区)

海西蒙古族藏族自治州(德令哈市、乌兰县、茫崖市、天峻县、格尔木市、都兰县)

乌兰察布市(察哈尔右翼前旗、凉城县、商都县、化德县、兴和县、卓资县、丰镇市、察哈尔右翼中旗、四子王旗、察哈尔右翼后旗、集宁区)

巴彦淖尔市(乌拉特后旗、杭锦后旗、乌拉特中旗、磴口县、乌拉特前旗、五原县、临河区)

吉安市(安福县、吉安县、万安县、吉水县、青原区、永丰县、新干县、峡江县、泰和县、吉州区、井冈山市、遂川县、永新县)

四平市(伊通满族自治县、梨树县、铁东区、铁西区、双辽市)

河源市(和平县、东源县、源城区、紫金县、龙川县、连平县)

盐城市(盐都区、亭湖区、阜宁县、滨海县、建湖县、射阳县、响水县、东台市、大丰区)

绍兴市(新昌县、越城区、嵊州市、上虞区、诸暨市、柯桥区)

陇南市(宕昌县、文县、两当县、徽县、西和县、成县、武都区、礼县、康县)

淮南市(凤台县、潘集区、谢家集区、寿县、八公山区、田家庵区、大通区)

揭阳市(揭西县、普宁市、惠来县、榕城区、揭东区)

咸宁市(赤壁市、咸安区、通城县、通山县、崇阳县、嘉鱼县)

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鹰潭市(余江区、贵溪市、月湖区)

武威市(古浪县、天祝藏族自治县、民勤县、凉州区)

定西市(岷县、通渭县、安定区、临洮县、陇西县、渭源县、漳县)

常德市(澧县、鼎城区、汉寿县、桃源县、临澧县、武陵区、石门县、安乡县、津市市)  海东市(民和回族土族自治县、循化撒拉族自治县、互助土族自治县、化隆回族自治县、乐都区、平安区)

镇江市(句容市、丹徒区、扬中市、润州区、京口区、丹阳市)

保山市(施甸县、隆阳区、腾冲市、龙陵县、昌宁县)

铁岭市(铁岭县、开原市、银州区、西丰县、调兵山市、清河区、昌图县)西宁市(城西区、城中区、湟源县、城北区、大通回族土族自治县、湟中区、城东区)

阿克苏地区(乌什县、沙雅县、阿克苏市、新和县、拜城县、温宿县、柯坪县、库车市、阿瓦提县)  安庆市(怀宁县、桐城市、岳西县、潜山市、宿松县、大观区、望江县、迎江区、太湖县、宜秀区)

黄南藏族自治州(尖扎县、河南蒙古族自治县、泽库县、同仁市)

南通市(海门区、启东市、通州区、如东县、海安市、崇川区、如皋市)

商洛市(柞水县、山阳县、镇安县、商州区、洛南县、商南县、丹凤县)成都市(温江区、金牛区、彭州市、成华区、金堂县、双流区、邛崃市、新都区、武侯区、锦江区、都江堰市、大邑县、青白江区、蒲江县、新津区、龙泉驿区、郫都区、青羊区、崇州市、简阳市)

菏泽市(巨野县、鄄城县、东明县、郓城县、曹县、牡丹区、单县、成武县、定陶区)

湖州市(安吉县、德清县、长兴县、吴兴区、南浔区)

株洲市(荷塘区、天元区、石峰区、醴陵市、炎陵县、渌口区、攸县、茶陵县、芦淞区)

柳州市(鱼峰区、柳北区、柳南区、柳城县、融水苗族自治县、柳江区、融安县、三江侗族自治县、鹿寨县、城中区)

衡阳市(衡南县、衡东县、常宁市、衡阳县、珠晖区、雁峰区、蒸湘区、耒阳市、南岳区、衡山县、石鼓区、祁东县)

张家界市(慈利县、桑植县、武陵源区、永定区)

普洱市(景谷傣族彝族自治县、西盟佤族自治县、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县、墨江哈尼族自治县、景东彝族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、澜沧拉祜族自治县、思茅区、孟连傣族拉祜族佤族自治县、江城哈尼族彝族自治县)

遵义市(绥阳县、正安县、余庆县、红花岗区、赤水市、凤冈县、道真仡佬族苗族自治县、习水县、务川仡佬族苗族自治县、仁怀市、湄潭县、播州区、汇川区、桐梓县)

江门市(开平市、恩平市、江海区、台山市、新会区、蓬江区、鹤山市)

仙桃市(神农架林区、潜江市、天门市)

绥化市(兰西县、海伦市、安达市、肇东市、绥棱县、庆安县、北林区、望奎县、青冈县、明水县)

南阳市(新野县、内乡县、南召县、宛城区、淅川县、唐河县、镇平县、邓州市、卧龙区、社旗县、桐柏县、方城县、西峡县)

固原市(原州区、泾源县、彭阳县、西吉县、隆德县)

巴中市(南江县、巴州区、通江县、平昌县、恩阳区)

廊坊市(安次区、大厂回族自治县、广阳区、大城县、文安县、永清县、香河县、霸州市、固安县、三河市)

滁州市(定远县、全椒县、天长市、琅琊区、南谯区、来安县、明光市、凤阳县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。