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渭南市(潼关县、华州区、富平县、大荔县、合阳县、澄城县、韩城市、临渭区、华阴市、白水县、蒲城县)

威海市(荣成市、乳山市、文登区、环翠区)

安庆市(大观区、岳西县、太湖县、怀宁县、宿松县、宜秀区、望江县、迎江区、桐城市、潜山市)

玉树藏族自治州(曲麻莱县、囊谦县、杂多县、称多县、治多县、玉树市)  绥化市(海伦市、北林区、望奎县、肇东市、青冈县、兰西县、安达市、庆安县、绥棱县、明水县)

乐山市(峨边彝族自治县、沙湾区、犍为县、市中区、夹江县、五通桥区、马边彝族自治县、金口河区、峨眉山市、井研县、沐川县)

防城港市(防城区、上思县、东兴市、港口区)

铁岭市(昌图县、银州区、开原市、调兵山市、清河区、铁岭县、西丰县)

宿迁市(泗阳县、宿城区、泗洪县、沭阳县、宿豫区)  清远市(佛冈县、连州市、清新区、清城区、连山壮族瑶族自治县、阳山县、英德市、连南瑶族自治县)

广西壮族自治区

儋州市

安阳市(滑县、文峰区、殷都区、安阳县、北关区、林州市、龙安区、汤阴县、内黄县)

黄石市(阳新县、黄石港区、大冶市、下陆区、西塞山区、铁山区)

嘉兴市(嘉善县、秀洲区、海盐县、桐乡市、平湖市、南湖区、海宁市)

淄博市(临淄区、桓台县、张店区、高青县、淄川区、周村区、沂源县、博山区)

邯郸市(邯山区、肥乡区、大名县、邱县、磁县、峰峰矿区、复兴区、魏县、武安市、曲周县、涉县、馆陶县、丛台区、广平县、成安县、临漳县、鸡泽县、永年区)

延边朝鲜族自治州(安图县、龙井市、珲春市、汪清县、图们市、和龙市、敦化市、延吉市)

玉林市(博白县、容县、福绵区、北流市、陆川县、玉州区、兴业县)

塔城地区(塔城市、沙湾市、乌苏市、和布克赛尔蒙古自治县、额敏县、托里县、裕民县)

保山市(昌宁县、龙陵县、腾冲市、施甸县、隆阳区)

毕节市(七星关区、威宁彝族回族苗族自治县、黔西市、织金县、大方县、纳雍县、金沙县、赫章县)

新疆维吾尔自治区

河源市(源城区、和平县、连平县、东源县、龙川县、紫金县)

菏泽市(定陶区、单县、鄄城县、成武县、东明县、牡丹区、巨野县、郓城县、曹县)

邢台市(隆尧县、柏乡县、广宗县、平乡县、南宫市、任泽区、南和区、宁晋县、信都区、巨鹿县、威县、襄都区、新河县、清河县、内丘县、临西县、沙河市、临城县)

来宾市(武宣县、象州县、兴宾区、忻城县、合山市、金秀瑶族自治县)

青岛市(胶州市、平度市、黄岛区、即墨区、城阳区、市北区、莱西市、崂山区、李沧区、市南区)

抚顺市(顺城区、东洲区、抚顺县、望花区、新宾满族自治县、清原满族自治县、新抚区)

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淮北市(濉溪县、相山区、烈山区、杜集区)

扬州市(仪征市、宝应县、江都区、高邮市、广陵区、邗江区)

三沙市(西沙区、南沙区)

广元市(剑阁县、苍溪县、昭化区、旺苍县、青川县、利州区、朝天区)  池州市(石台县、贵池区、青阳县、东至县)

宣城市(绩溪县、宣州区、郎溪县、广德市、宁国市、泾县、旌德县)

双鸭山市(集贤县、友谊县、宝山区、尖山区、宝清县、四方台区、岭东区、饶河县)

岳阳市(岳阳县、云溪区、汨罗市、华容县、平江县、岳阳楼区、湘阴县、临湘市、君山区)安顺市(镇宁布依族苗族自治县、紫云苗族布依族自治县、西秀区、平坝区、关岭布依族苗族自治县、普定县)

北海市(合浦县、铁山港区、海城区、银海区)  石嘴山市(大武口区、惠农区、平罗县)

南宁市(马山县、横州市、武鸣区、宾阳县、邕宁区、良庆区、江南区、青秀区、西乡塘区、上林县、隆安县、兴宁区)

西安市(高陵区、碑林区、莲湖区、蓝田县、新城区、未央区、周至县、雁塔区、灞桥区、长安区、鄠邑区、临潼区、阎良区)

梅州市(梅江区、五华县、大埔县、蕉岭县、兴宁市、平远县、丰顺县、梅县区)无锡市(惠山区、梁溪区、江阴市、宜兴市、滨湖区、锡山区、新吴区)

安康市(汉阴县、汉滨区、旬阳市、平利县、白河县、镇坪县、宁陕县、紫阳县、岚皋县、石泉县)

宁德市(福鼎市、古田县、蕉城区、霞浦县、柘荣县、寿宁县、福安市、屏南县、周宁县)

鸡西市(恒山区、滴道区、麻山区、梨树区、密山市、城子河区、虎林市、鸡东县、鸡冠区)

河池市(凤山县、罗城仫佬族自治县、宜州区、都安瑶族自治县、天峨县、东兰县、南丹县、大化瑶族自治县、巴马瑶族自治县、环江毛南族自治县、金城江区)

孝感市(应城市、安陆市、汉川市、孝南区、孝昌县、大悟县、云梦县)

天水市(张家川回族自治县、麦积区、甘谷县、清水县、秦州区、秦安县、武山县)

白城市(镇赉县、洮北区、大安市、通榆县、洮南市)

齐齐哈尔市(龙沙区、建华区、碾子山区、克东县、富拉尔基区、拜泉县、讷河市、梅里斯达斡尔族区、富裕县、甘南县、克山县、依安县、铁锋区、龙江县、昂昂溪区、泰来县)

晋城市(陵川县、泽州县、沁水县、城区、阳城县、高平市)

兴安盟(科尔沁右翼中旗、科尔沁右翼前旗、阿尔山市、扎赉特旗、乌兰浩特市、突泉县)

台州市(路桥区、温岭市、黄岩区、仙居县、临海市、三门县、玉环市、椒江区、天台县)

泉州市(金门县、鲤城区、德化县、安溪县、泉港区、永春县、丰泽区、南安市、洛江区、晋江市、石狮市、惠安县)

潮州市(潮安区、湘桥区、饶平县)

榆林市(佳县、榆阳区、靖边县、子洲县、吴堡县、府谷县、米脂县、绥德县、神木市、清涧县、横山区、定边县)

深圳市(坪山区、龙华区、宝安区、盐田区、南山区、福田区、龙岗区、罗湖区、光明区)

南昌市(进贤县、东湖区、西湖区、青云谱区、南昌县、安义县、新建区、青山湖区、红谷滩区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。