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  上海4月17日电(记者陈静)在一眨眼的时间内,超级闪存已经工作了10亿次,而原来的U盘只能1000次。相当于光在走了12厘米的时间内,几千个电子已经储存完毕。

  记者17日获悉,复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,擦写速度达到亚1纳秒(400皮秒),是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。

  北京时间4月16日深夜,相关研究成果发表于国际顶尖期刊《自然》(Nature)。

  从远古时代的结绳记事开始,人类对信息存储速度的追求从未止步。随着科技不断演进,电荷被证明是最佳存储媒介,能够以惊人的速度和卓越的可靠性承载海量数据。随着人工智能(AI)时代的到来,计算范式正从传统的逻辑运算逐渐转向数据驱动的计算模式。信息存取速度直接决定了算力上限,亟需存储技术的突破来实现变革。

  据介绍,目前速度最快的存储器均为易失性存储器,断电后数据丢失的特性限制了其在低功耗场景下的应用,难以满足AI计算对数据极高速存取的需求。

  复旦大学周鹏/刘春森团队构建了准二维高斯模型,成功从理论上预测了超注入现象,并据此研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术;通过AI算法对工艺测试条件实现科学优化,极大推动技术创新与落地。

  据悉,中国专家团队研发的突破性高速非易失闪存技术,不仅有望改变全球存储技术格局,进而推动产业升级并催生全新应用场景,还为中国在相关领域实现技术引领提供强有力支撑。(完)

  “您好,能跟我握个手吗?”“能跟我敬个礼吗?”第五届中国国际消费品博览会(简称“消博会”)首次设立新消费科技展区,聚焦前沿科技领域,国内外最新的人形机器人也在本届消博会上同台竞技。(记者谢艺观陈庆洋实习生刘向宇)

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