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营口市(大石桥市、鲅鱼圈区、西市区、老边区、站前区、盖州市)

东营市(广饶县、河口区、利津县、东营区、垦利区)

锦州市(北镇市、黑山县、凌海市、义县、古塔区、太和区、凌河区)

商丘市(民权县、夏邑县、永城市、睢阳区、虞城县、宁陵县、梁园区、柘城县、睢县)  温州市(乐清市、龙湾区、瓯海区、龙港市、瑞安市、文成县、平阳县、苍南县、泰顺县、鹿城区、永嘉县、洞头区)

广元市(苍溪县、利州区、青川县、旺苍县、朝天区、昭化区、剑阁县)

衢州市(江山市、柯城区、龙游县、衢江区、开化县、常山县)

承德市(双滦区、围场满族蒙古族自治县、平泉市、宽城满族自治县、双桥区、丰宁满族自治县、兴隆县、滦平县、承德县、隆化县、鹰手营子矿区)

黑河市(五大连池市、孙吴县、爱辉区、逊克县、嫩江市、北安市)  乌兰察布市(察哈尔右翼中旗、察哈尔右翼后旗、兴和县、凉城县、集宁区、察哈尔右翼前旗、丰镇市、卓资县、化德县、商都县、四子王旗)

白银市(景泰县、白银区、靖远县、会宁县、平川区)

宝鸡市(渭滨区、麟游县、千阳县、陇县、凤翔区、太白县、扶风县、岐山县、眉县、陈仓区、金台区、凤县)

丽江市(永胜县、宁蒗彝族自治县、华坪县、玉龙纳西族自治县、古城区)

嘉峪关市

乐山市(犍为县、夹江县、马边彝族自治县、峨眉山市、沐川县、峨边彝族自治县、沙湾区、五通桥区、金口河区、井研县、市中区)

漯河市(召陵区、舞阳县、郾城区、源汇区、临颍县)

海西蒙古族藏族自治州(都兰县、德令哈市、乌兰县、天峻县、格尔木市、茫崖市)

济源市

吕梁市(柳林县、孝义市、兴县、交口县、岚县、汾阳市、方山县、离石区、中阳县、临县、文水县、石楼县、交城县)

巴音郭楞蒙古自治州(若羌县、尉犁县、库尔勒市、轮台县、和静县、和硕县、焉耆回族自治县、博湖县、且末县)

林芝市(波密县、巴宜区、察隅县、墨脱县、米林市、工布江达县、朗县)

中卫市(海原县、沙坡头区、中宁县)

肇庆市(四会市、封开县、广宁县、高要区、德庆县、怀集县、端州区、鼎湖区)

邯郸市(邯山区、永年区、魏县、峰峰矿区、磁县、邱县、复兴区、武安市、成安县、馆陶县、涉县、广平县、丛台区、临漳县、肥乡区、曲周县、鸡泽县、大名县)

自贡市(大安区、荣县、沿滩区、富顺县、自流井区、贡井区)

许昌市(鄢陵县、魏都区、长葛市、建安区、襄城县、禹州市)

抚州市(广昌县、黎川县、资溪县、崇仁县、乐安县、南丰县、金溪县、东乡区、南城县、宜黄县、临川区)

柳州市(柳南区、鱼峰区、鹿寨县、柳城县、融水苗族自治县、城中区、柳江区、融安县、三江侗族自治县、柳北区)

鸡西市(鸡东县、密山市、麻山区、梨树区、虎林市、城子河区、恒山区、滴道区、鸡冠区)

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宁夏回族自治区

武汉市(江夏区、江汉区、江岸区、青山区、蔡甸区、硚口区、黄陂区、汉阳区、汉南区、武昌区、新洲区、洪山区、东西湖区)

焦作市(山阳区、修武县、解放区、博爱县、马村区、孟州市、温县、沁阳市、中站区、武陟县)

内蒙古自治区  日喀则市(吉隆县、岗巴县、萨嘎县、桑珠孜区、聂拉木县、仁布县、亚东县、昂仁县、康马县、白朗县、定日县、谢通门县、南木林县、萨迦县、拉孜县、江孜县、仲巴县、定结县)

新余市(分宜县、渝水区)

桂林市(灌阳县、阳朔县、荔浦市、兴安县、七星区、龙胜各族自治县、恭城瑶族自治县、灵川县、平乐县、资源县、临桂区、永福县、叠彩区、全州县、象山区、雁山区、秀峰区)

大理白族自治州(漾濞彝族自治县、南涧彝族自治县、大理市、云龙县、宾川县、剑川县、洱源县、鹤庆县、永平县、巍山彝族回族自治县、祥云县、弥渡县)西藏自治区

泰安市(泰山区、岱岳区、宁阳县、新泰市、东平县、肥城市)  西双版纳傣族自治州(勐腊县、勐海县、景洪市)

青岛市(即墨区、莱西市、平度市、市北区、城阳区、李沧区、市南区、胶州市、黄岛区、崂山区)

铜川市(印台区、王益区、宜君县、耀州区)

齐齐哈尔市(富裕县、克东县、铁锋区、富拉尔基区、碾子山区、甘南县、建华区、梅里斯达斡尔族区、克山县、龙江县、拜泉县、龙沙区、依安县、泰来县、讷河市、昂昂溪区)日照市(岚山区、东港区、莒县、五莲县)

玉溪市(易门县、澄江市、华宁县、峨山彝族自治县、通海县、江川区、新平彝族傣族自治县、红塔区、元江哈尼族彝族傣族自治县)

三沙市(南沙区、西沙区)

铁岭市(西丰县、开原市、银州区、昌图县、铁岭县、清河区、调兵山市)

阳江市(阳春市、阳西县、江城区、阳东区)

福州市(罗源县、永泰县、连江县、闽清县、仓山区、鼓楼区、晋安区、马尾区、闽侯县、平潭县、福清市、台江区、长乐区)

绵阳市(北川羌族自治县、江油市、安州区、梓潼县、涪城区、平武县、游仙区、盐亭县、三台县)

东莞市

太原市(阳曲县、万柏林区、娄烦县、小店区、清徐县、古交市、迎泽区、杏花岭区、尖草坪区、晋源区)

天津市(蓟州区、北辰区、滨海新区、宝坻区、静海区、河北区、武清区、西青区、和平区、南开区、东丽区、津南区、河东区、红桥区、宁河区、河西区)

保定市(曲阳县、安国市、清苑区、蠡县、博野县、涞源县、涿州市、容城县、竞秀区、望都县、莲池区、顺平县、涞水县、易县、雄县、阜平县、定兴县、满城区、唐县、高阳县、安新县、定州市、徐水区、高碑店市)

黔西南布依族苗族自治州(贞丰县、兴仁市、普安县、望谟县、兴义市、安龙县、晴隆县、册亨县)

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六盘水市(盘州市、水城区、钟山区、六枝特区)

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湛江市(霞山区、吴川市、遂溪县、廉江市、徐闻县、赤坎区、雷州市、麻章区、坡头区)

昭通市(昭阳区、巧家县、盐津县、水富市、永善县、威信县、绥江县、镇雄县、大关县、彝良县、鲁甸县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。