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银川市(金凤区、永宁县、灵武市、兴庆区、西夏区、贺兰县)

抚顺市(东洲区、新宾满族自治县、清原满族自治县、抚顺县、新抚区、顺城区、望花区)

泸州市(叙永县、泸县、合江县、龙马潭区、江阳区、古蔺县、纳溪区)

来宾市(象州县、金秀瑶族自治县、兴宾区、忻城县、武宣县、合山市)  抚州市(东乡区、广昌县、临川区、资溪县、乐安县、南城县、南丰县、黎川县、宜黄县、金溪县、崇仁县)

徐州市(睢宁县、沛县、云龙区、新沂市、邳州市、丰县、铜山区、鼓楼区、贾汪区、泉山区)

宁德市(周宁县、寿宁县、福安市、柘荣县、福鼎市、屏南县、古田县、蕉城区、霞浦县)

克拉玛依市(独山子区、乌尔禾区、白碱滩区、克拉玛依区)

梅州市(蕉岭县、梅县区、平远县、大埔县、梅江区、兴宁市、丰顺县、五华县)  通辽市(开鲁县、霍林郭勒市、科尔沁左翼后旗、科尔沁区、扎鲁特旗、奈曼旗、科尔沁左翼中旗、库伦旗)

濮阳市(范县、南乐县、濮阳县、华龙区、台前县、清丰县)

海东市(互助土族自治县、循化撒拉族自治县、化隆回族自治县、民和回族土族自治县、平安区、乐都区)

钦州市(灵山县、钦北区、钦南区、浦北县)

铁岭市(开原市、清河区、昌图县、调兵山市、西丰县、铁岭县、银州区)

咸宁市(通城县、崇阳县、通山县、嘉鱼县、咸安区、赤壁市)

普洱市(西盟佤族自治县、思茅区、景谷傣族彝族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、景东彝族自治县、江城哈尼族彝族自治县、墨江哈尼族自治县、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县、孟连傣族拉祜族佤族自治县、澜沧拉祜族自治县)

乌兰察布市(商都县、丰镇市、察哈尔右翼前旗、兴和县、化德县、察哈尔右翼中旗、集宁区、察哈尔右翼后旗、四子王旗、卓资县、凉城县)

庆阳市(华池县、合水县、正宁县、宁县、庆城县、镇原县、环县、西峰区)

临沧市(云县、沧源佤族自治县、凤庆县、耿马傣族佤族自治县、永德县、镇康县、临翔区、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县)

大同市(新荣区、广灵县、灵丘县、云州区、天镇县、阳高县、云冈区、浑源县、左云县、平城区)

盐城市(建湖县、大丰区、射阳县、响水县、盐都区、东台市、亭湖区、阜宁县、滨海县)

兰州市(永登县、红古区、皋兰县、七里河区、西固区、城关区、榆中县、安宁区)

宝鸡市(千阳县、太白县、扶风县、眉县、凤翔区、渭滨区、陈仓区、麟游县、陇县、金台区、岐山县、凤县)

五指山市(文昌市、琼海市、保亭黎族苗族自治县、临高县、白沙黎族自治县、定安县、屯昌县、陵水黎族自治县、昌江黎族自治县、琼中黎族苗族自治县、乐东黎族自治县、东方市、万宁市、澄迈县)

北京市(房山区、大兴区、海淀区、延庆区、平谷区、石景山区、西城区、朝阳区、昌平区、通州区、怀柔区、顺义区、丰台区、密云区、东城区、门头沟区)

淮北市(杜集区、烈山区、相山区、濉溪县)

鞍山市(海城市、千山区、铁东区、岫岩满族自治县、台安县、立山区、铁西区)

曲靖市(会泽县、沾益区、富源县、马龙区、陆良县、师宗县、罗平县、宣威市、麒麟区)

滁州市(天长市、琅琊区、来安县、明光市、凤阳县、定远县、全椒县、南谯区)

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德阳市(罗江区、什邡市、旌阳区、中江县、绵竹市、广汉市)

凉山彝族自治州(盐源县、越西县、雷波县、木里藏族自治县、德昌县、西昌市、甘洛县、会东县、布拖县、美姑县、会理市、普格县、喜德县、冕宁县、宁南县、金阳县、昭觉县)

苏州市(常熟市、姑苏区、太仓市、张家港市、吴江区、昆山市、相城区、吴中区、虎丘区)

阳泉市(郊区、城区、矿区、平定县、盂县)  德宏傣族景颇族自治州(瑞丽市、芒市、陇川县、盈江县、梁河县)

崇左市(宁明县、天等县、扶绥县、大新县、龙州县、凭祥市、江州区)

延安市(延川县、黄龙县、子长市、延长县、宜川县、洛川县、吴起县、甘泉县、宝塔区、富县、安塞区、黄陵县、志丹县)

白山市(长白朝鲜族自治县、靖宇县、浑江区、抚松县、江源区、临江市)黄石市(大冶市、铁山区、黄石港区、下陆区、阳新县、西塞山区)

黑河市(五大连池市、爱辉区、嫩江市、逊克县、北安市、孙吴县)  聊城市(东阿县、高唐县、临清市、阳谷县、冠县、茌平区、东昌府区、莘县)

台州市(黄岩区、路桥区、仙居县、玉环市、椒江区、温岭市、临海市、三门县、天台县)

七台河市(勃利县、茄子河区、桃山区、新兴区)

泰州市(兴化市、姜堰区、高港区、海陵区、靖江市、泰兴市)郑州市(金水区、中原区、上街区、新郑市、管城回族区、荥阳市、二七区、巩义市、登封市、新密市、惠济区、中牟县)

吉林市(永吉县、船营区、龙潭区、桦甸市、昌邑区、舒兰市、磐石市、丰满区、蛟河市)

绍兴市(越城区、新昌县、上虞区、嵊州市、诸暨市、柯桥区)

洛阳市(老城区、洛宁县、宜阳县、嵩县、洛龙区、新安县、瀍河回族区、孟津区、西工区、偃师区、伊川县、栾川县、汝阳县、涧西区)

南阳市(社旗县、卧龙区、南召县、内乡县、唐河县、新野县、方城县、镇平县、淅川县、宛城区、桐柏县、西峡县、邓州市)

岳阳市(君山区、湘阴县、岳阳县、华容县、平江县、汨罗市、岳阳楼区、临湘市、云溪区)

常州市(金坛区、天宁区、钟楼区、溧阳市、新北区、武进区)

锡林郭勒盟(东乌珠穆沁旗、苏尼特右旗、正镶白旗、太仆寺旗、多伦县、锡林浩特市、正蓝旗、阿巴嘎旗、二连浩特市、镶黄旗、西乌珠穆沁旗、苏尼特左旗)

辽阳市(宏伟区、白塔区、太子河区、弓长岭区、文圣区、灯塔市、辽阳县)

宜春市(丰城市、樟树市、靖安县、宜丰县、上高县、袁州区、奉新县、铜鼓县、高安市、万载县)

许昌市(鄢陵县、建安区、禹州市、魏都区、长葛市、襄城县)

随州市(广水市、曾都区、随县)

黔南布依族苗族自治州(三都水族自治县、都匀市、龙里县、平塘县、荔波县、瓮安县、惠水县、长顺县、贵定县、罗甸县、独山县、福泉市)

临夏回族自治州(永靖县、临夏市、临夏县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、东乡族自治县、广河县、康乐县、和政县)

菏泽市(东明县、成武县、郓城县、牡丹区、鄄城县、定陶区、巨野县、曹县、单县)

西安市(未央区、新城区、蓝田县、临潼区、周至县、雁塔区、莲湖区、阎良区、长安区、碑林区、鄠邑区、高陵区、灞桥区)

昌吉回族自治州(呼图壁县、木垒哈萨克自治县、玛纳斯县、阜康市、昌吉市、奇台县、吉木萨尔县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。