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山南市(隆子县、扎囊县、琼结县、曲松县、贡嘎县、桑日县、加查县、乃东区、措美县、浪卡子县、错那市、洛扎县)

营口市(鲅鱼圈区、站前区、西市区、老边区、大石桥市、盖州市)

广元市(青川县、朝天区、剑阁县、昭化区、旺苍县、利州区、苍溪县)

三门峡市(灵宝市、卢氏县、湖滨区、渑池县、陕州区、义马市)  滨州市(惠民县、邹平市、博兴县、沾化区、阳信县、滨城区、无棣县)

黔东南苗族侗族自治州(从江县、剑河县、岑巩县、镇远县、台江县、榕江县、锦屏县、施秉县、黄平县、麻江县、三穗县、凯里市、天柱县、丹寨县、雷山县、黎平县)

葫芦岛市(连山区、兴城市、绥中县、南票区、龙港区、建昌县)

郑州市(登封市、新密市、荥阳市、金水区、惠济区、二七区、新郑市、中牟县、上街区、中原区、管城回族区、巩义市)黔西南布依族苗族自治州(册亨县、贞丰县、兴义市、兴仁市、晴隆县、普安县、安龙县、望谟县)

临夏回族自治州(东乡族自治县、广河县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、临夏市、临夏县、和政县、永靖县、康乐县)  新余市(渝水区、分宜县)

龙岩市(漳平市、连城县、新罗区、永定区、长汀县、武平县、上杭县)

天津市(津南区、河北区、宝坻区、河东区、西青区、宁河区、北辰区、武清区、滨海新区、红桥区、南开区、和平区、静海区、蓟州区、东丽区、河西区)

齐齐哈尔市(克东县、碾子山区、克山县、富拉尔基区、梅里斯达斡尔族区、龙沙区、泰来县、拜泉县、建华区、讷河市、龙江县、铁锋区、依安县、昂昂溪区、富裕县、甘南县)

崇左市(宁明县、江州区、大新县、龙州县、凭祥市、天等县、扶绥县)

黄石市(大冶市、阳新县、铁山区、下陆区、西塞山区、黄石港区)

黔南布依族苗族自治州(长顺县、瓮安县、三都水族自治县、独山县、平塘县、龙里县、惠水县、罗甸县、福泉市、都匀市、荔波县、贵定县)

铜陵市(铜官区、郊区、义安区、枞阳县)

铁岭市(开原市、铁岭县、昌图县、调兵山市、清河区、银州区、西丰县)

广州市(黄埔区、南沙区、天河区、增城区、从化区、番禺区、花都区、越秀区、海珠区、荔湾区、白云区)

西宁市(城西区、湟中区、大通回族土族自治县、城东区、城中区、湟源县、城北区)

鹤岗市(南山区、萝北县、向阳区、兴山区、兴安区、工农区、东山区、绥滨县)

甘南藏族自治州(玛曲县、舟曲县、卓尼县、合作市、临潭县、夏河县、迭部县、碌曲县)

儋州市

佳木斯市(前进区、桦川县、同江市、东风区、向阳区、郊区、富锦市、汤原县、桦南县、抚远市)

益阳市(桃江县、安化县、南县、赫山区、沅江市、资阳区)

株洲市(荷塘区、渌口区、芦淞区、攸县、醴陵市、天元区、石峰区、炎陵县、茶陵县)

遂宁市(安居区、船山区、大英县、蓬溪县、射洪市)

梅州市(梅县区、平远县、蕉岭县、五华县、大埔县、丰顺县、兴宁市、梅江区)

洛阳市(瀍河回族区、栾川县、嵩县、洛龙区、偃师区、老城区、涧西区、西工区、伊川县、宜阳县、洛宁县、汝阳县、新安县、孟津区)

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常州市(武进区、金坛区、钟楼区、溧阳市、天宁区、新北区)

承德市(隆化县、围场满族蒙古族自治县、丰宁满族自治县、平泉市、宽城满族自治县、双桥区、承德县、鹰手营子矿区、滦平县、兴隆县、双滦区)

天水市(张家川回族自治县、秦州区、秦安县、甘谷县、武山县、麦积区、清水县)

大庆市(红岗区、肇源县、肇州县、龙凤区、大同区、让胡路区、杜尔伯特蒙古族自治县、萨尔图区、林甸县)  兴安盟(科尔沁右翼中旗、阿尔山市、扎赉特旗、乌兰浩特市、突泉县、科尔沁右翼前旗)

淮南市(八公山区、谢家集区、寿县、田家庵区、潘集区、凤台县、大通区)

吐鲁番市(鄯善县、高昌区、托克逊县)

云浮市(郁南县、云安区、云城区、罗定市、新兴县)四平市(铁西区、梨树县、伊通满族自治县、双辽市、铁东区)

揭阳市(揭东区、揭西县、榕城区、惠来县、普宁市)  佛山市(三水区、禅城区、顺德区、高明区、南海区)

淮北市(烈山区、相山区、濉溪县、杜集区)

连云港市(灌云县、赣榆区、连云区、灌南县、海州区、东海县)

鄂州市(鄂城区、华容区、梁子湖区)赤峰市(阿鲁科尔沁旗、元宝山区、宁城县、敖汉旗、翁牛特旗、巴林左旗、喀喇沁旗、林西县、克什克腾旗、巴林右旗、红山区、松山区)

马鞍山市(博望区、和县、花山区、雨山区、含山县、当涂县)

三明市(大田县、宁化县、沙县区、将乐县、明溪县、永安市、建宁县、泰宁县、三元区、清流县、尤溪县)

济源市

海西蒙古族藏族自治州(都兰县、天峻县、德令哈市、乌兰县、茫崖市、格尔木市)

双鸭山市(四方台区、尖山区、宝清县、饶河县、宝山区、集贤县、友谊县、岭东区)

亳州市(谯城区、涡阳县、利辛县、蒙城县)

大连市(沙河口区、庄河市、长海县、西岗区、中山区、金州区、甘井子区、普兰店区、瓦房店市、旅顺口区)

宿州市(灵璧县、泗县、砀山县、埇桥区、萧县)

河池市(凤山县、都安瑶族自治县、巴马瑶族自治县、罗城仫佬族自治县、金城江区、南丹县、宜州区、环江毛南族自治县、大化瑶族自治县、东兰县、天峨县)

资阳市(安岳县、乐至县、雁江区)

武汉市(洪山区、东西湖区、江汉区、江岸区、硚口区、汉南区、蔡甸区、黄陂区、新洲区、江夏区、武昌区、青山区、汉阳区)

百色市(隆林各族自治县、乐业县、平果市、凌云县、右江区、靖西市、德保县、那坡县、田林县、西林县、田东县、田阳区)

秦皇岛市(北戴河区、山海关区、海港区、昌黎县、青龙满族自治县、卢龙县、抚宁区)

泉州市(南安市、金门县、石狮市、晋江市、鲤城区、永春县、安溪县、洛江区、泉港区、德化县、丰泽区、惠安县)

包头市(白云鄂博矿区、昆都仑区、九原区、达尔罕茂明安联合旗、青山区、东河区、土默特右旗、石拐区、固阳县)

巴彦淖尔市(乌拉特后旗、五原县、杭锦后旗、临河区、乌拉特中旗、磴口县、乌拉特前旗)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。