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昌都市(贡觉县、八宿县、左贡县、卡若区、洛隆县、察雅县、类乌齐县、边坝县、江达县、芒康县、丁青县)

乌海市(乌达区、海南区、海勃湾区)

营口市(西市区、站前区、大石桥市、老边区、盖州市、鲅鱼圈区)

马鞍山市(博望区、当涂县、花山区、和县、含山县、雨山区)  茂名市(电白区、信宜市、化州市、茂南区、高州市)

济源市

临沧市(镇康县、永德县、耿马傣族佤族自治县、凤庆县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、沧源佤族自治县、临翔区、云县)

昌吉回族自治州(吉木萨尔县、奇台县、阜康市、呼图壁县、玛纳斯县、昌吉市、木垒哈萨克自治县)中卫市(海原县、沙坡头区、中宁县)

邢台市(新河县、巨鹿县、信都区、隆尧县、宁晋县、临城县、临西县、沙河市、柏乡县、任泽区、平乡县、清河县、威县、内丘县、南和区、广宗县、襄都区、南宫市)  达州市(开江县、大竹县、万源市、达川区、通川区、宣汉县、渠县)

铜仁市(江口县、德江县、印江土家族苗族自治县、松桃苗族自治县、碧江区、沿河土家族自治县、思南县、石阡县、万山区、玉屏侗族自治县)

西藏自治区

西安市(长安区、未央区、蓝田县、碑林区、高陵区、新城区、灞桥区、莲湖区、周至县、雁塔区、鄠邑区、阎良区、临潼区)

鄂尔多斯市(伊金霍洛旗、杭锦旗、准格尔旗、康巴什区、乌审旗、东胜区、达拉特旗、鄂托克前旗、鄂托克旗)

新余市(分宜县、渝水区)

甘孜藏族自治州(九龙县、稻城县、泸定县、德格县、丹巴县、石渠县、色达县、康定市、炉霍县、新龙县、巴塘县、理塘县、甘孜县、乡城县、白玉县、得荣县、雅江县、道孚县)

泰州市(高港区、兴化市、靖江市、姜堰区、海陵区、泰兴市)

那曲市(尼玛县、聂荣县、色尼区、申扎县、嘉黎县、比如县、安多县、双湖县、巴青县、班戈县、索县)

南平市(顺昌县、武夷山市、邵武市、政和县、松溪县、光泽县、建阳区、建瓯市、延平区、浦城县)

泉州市(南安市、洛江区、鲤城区、惠安县、金门县、晋江市、石狮市、丰泽区、安溪县、永春县、德化县、泉港区)

阜阳市(阜南县、颍东区、颍州区、界首市、颍泉区、临泉县、太和县、颍上县)

白银市(白银区、会宁县、景泰县、平川区、靖远县)

哈尔滨市(香坊区、阿城区、双城区、通河县、方正县、木兰县、松北区、宾县、南岗区、呼兰区、依兰县、巴彦县、延寿县、尚志市、道里区、道外区、平房区、五常市)

张家口市(宣化区、怀来县、桥西区、阳原县、沽源县、张北县、万全区、崇礼区、蔚县、赤城县、尚义县、涿鹿县、桥东区、康保县、下花园区、怀安县)

盘锦市(双台子区、盘山县、大洼区、兴隆台区)

沈阳市(沈北新区、浑南区、皇姑区、大东区、辽中区、于洪区、铁西区、康平县、法库县、新民市、苏家屯区、和平区、沈河区)

内江市(威远县、东兴区、资中县、隆昌市、市中区)

和田地区(皮山县、和田市、洛浦县、民丰县、于田县、墨玉县、策勒县、和田县)

伊春市(嘉荫县、丰林县、铁力市、汤旺县、友好区、南岔县、伊美区、金林区、大箐山县、乌翠区)

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运城市(稷山县、盐湖区、万荣县、临猗县、夏县、闻喜县、新绛县、芮城县、永济市、河津市、绛县、平陆县、垣曲县)

常德市(汉寿县、石门县、澧县、鼎城区、津市市、临澧县、武陵区、桃源县、安乡县)

石家庄市(辛集市、长安区、元氏县、正定县、裕华区、新乐市、鹿泉区、深泽县、行唐县、平山县、新华区、高邑县、赞皇县、桥西区、井陉矿区、藁城区、赵县、无极县、栾城区、灵寿县、晋州市、井陉县)

榆林市(绥德县、神木市、府谷县、定边县、靖边县、吴堡县、横山区、子洲县、佳县、清涧县、榆阳区、米脂县)  遵义市(桐梓县、道真仡佬族苗族自治县、务川仡佬族苗族自治县、正安县、播州区、凤冈县、习水县、绥阳县、仁怀市、红花岗区、赤水市、汇川区、湄潭县、余庆县)

赤峰市(巴林左旗、宁城县、红山区、喀喇沁旗、阿鲁科尔沁旗、松山区、林西县、翁牛特旗、敖汉旗、巴林右旗、元宝山区、克什克腾旗)

拉萨市(当雄县、堆龙德庆区、曲水县、林周县、尼木县、达孜区、城关区、墨竹工卡县)

连云港市(灌云县、东海县、灌南县、连云区、赣榆区、海州区)塔城地区(托里县、沙湾市、额敏县、塔城市、裕民县、和布克赛尔蒙古自治县、乌苏市)

甘南藏族自治州(卓尼县、玛曲县、迭部县、舟曲县、夏河县、合作市、碌曲县、临潭县)  通辽市(开鲁县、科尔沁左翼后旗、库伦旗、扎鲁特旗、科尔沁区、科尔沁左翼中旗、奈曼旗、霍林郭勒市)

濮阳市(台前县、华龙区、南乐县、濮阳县、范县、清丰县)

崇左市(天等县、凭祥市、宁明县、扶绥县、江州区、大新县、龙州县)

呼伦贝尔市(海拉尔区、额尔古纳市、莫力达瓦达斡尔族自治旗、新巴尔虎右旗、鄂伦春自治旗、扎兰屯市、扎赉诺尔区、陈巴尔虎旗、根河市、满洲里市、新巴尔虎左旗、牙克石市、鄂温克族自治旗、阿荣旗)潮州市(饶平县、湘桥区、潮安区)

商丘市(夏邑县、柘城县、永城市、民权县、梁园区、宁陵县、睢县、睢阳区、虞城县)

铜陵市(郊区、义安区、铜官区、枞阳县)

广元市(利州区、苍溪县、朝天区、青川县、剑阁县、昭化区、旺苍县)

兰州市(皋兰县、永登县、红古区、城关区、榆中县、西固区、安宁区、七里河区)

河池市(巴马瑶族自治县、金城江区、罗城仫佬族自治县、都安瑶族自治县、大化瑶族自治县、宜州区、南丹县、环江毛南族自治县、天峨县、东兰县、凤山县)

恩施土家族苗族自治州(恩施市、利川市、建始县、来凤县、鹤峰县、巴东县、咸丰县、宣恩县)

铁岭市(银州区、铁岭县、西丰县、开原市、清河区、调兵山市、昌图县)

阿克苏地区(阿瓦提县、沙雅县、阿克苏市、柯坪县、拜城县、新和县、乌什县、库车市、温宿县)

焦作市(武陟县、孟州市、博爱县、马村区、山阳区、沁阳市、修武县、温县、中站区、解放区)

喀什地区(喀什市、麦盖提县、岳普湖县、叶城县、疏勒县、伽师县、莎车县、塔什库尔干塔吉克自治县、英吉沙县、巴楚县、疏附县、泽普县)

鹰潭市(余江区、月湖区、贵溪市)

北京市(通州区、西城区、门头沟区、平谷区、丰台区、怀柔区、房山区、海淀区、延庆区、密云区、顺义区、东城区、石景山区、昌平区、朝阳区、大兴区)

淮安市(淮安区、涟水县、清江浦区、淮阴区、金湖县、洪泽区、盱眙县)

酒泉市(肃北蒙古族自治县、敦煌市、肃州区、阿克塞哈萨克族自治县、金塔县、瓜州县、玉门市)

抚州市(东乡区、金溪县、崇仁县、资溪县、广昌县、南城县、南丰县、黎川县、宜黄县、临川区、乐安县)

葫芦岛市(兴城市、连山区、龙港区、南票区、建昌县、绥中县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。