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阜阳市(临泉县、颍泉区、颍州区、界首市、阜南县、颍东区、颍上县、太和县)

黔东南苗族侗族自治州(镇远县、黄平县、榕江县、丹寨县、雷山县、三穗县、凯里市、天柱县、黎平县、施秉县、岑巩县、从江县、麻江县、剑河县、锦屏县、台江县)

宜昌市(秭归县、宜都市、远安县、点军区、当阳市、枝江市、伍家岗区、夷陵区、长阳土家族自治县、兴山县、猇亭区、西陵区、五峰土家族自治县)

新疆维吾尔自治区  毕节市(威宁彝族回族苗族自治县、七星关区、黔西市、大方县、纳雍县、织金县、赫章县、金沙县)

通化市(辉南县、集安市、梅河口市、二道江区、通化县、东昌区、柳河县)

南宁市(横州市、马山县、兴宁区、江南区、隆安县、宾阳县、良庆区、西乡塘区、上林县、武鸣区、邕宁区、青秀区)

昭通市(巧家县、镇雄县、鲁甸县、彝良县、绥江县、大关县、威信县、昭阳区、盐津县、水富市、永善县)

赤峰市(红山区、松山区、宁城县、林西县、阿鲁科尔沁旗、巴林左旗、翁牛特旗、巴林右旗、元宝山区、敖汉旗、喀喇沁旗、克什克腾旗)  洛阳市(宜阳县、嵩县、孟津区、伊川县、涧西区、新安县、老城区、洛宁县、栾川县、汝阳县、西工区、偃师区、瀍河回族区、洛龙区)

六盘水市(六枝特区、水城区、盘州市、钟山区)

海东市(循化撒拉族自治县、化隆回族自治县、互助土族自治县、乐都区、平安区、民和回族土族自治县)

长沙市(岳麓区、宁乡市、天心区、长沙县、开福区、雨花区、芙蓉区、望城区、浏阳市)

长春市(德惠市、二道区、双阳区、公主岭市、朝阳区、九台区、榆树市、绿园区、农安县、南关区、宽城区)

巴彦淖尔市(临河区、乌拉特后旗、磴口县、乌拉特中旗、杭锦后旗、乌拉特前旗、五原县)

梧州市(万秀区、岑溪市、长洲区、藤县、蒙山县、苍梧县、龙圩区)

承德市(平泉市、承德县、滦平县、鹰手营子矿区、围场满族蒙古族自治县、兴隆县、宽城满族自治县、隆化县、双滦区、双桥区、丰宁满族自治县)

本溪市(桓仁满族自治县、本溪满族自治县、溪湖区、平山区、南芬区、明山区)

南昌市(安义县、南昌县、东湖区、进贤县、青山湖区、红谷滩区、新建区、青云谱区、西湖区)

定西市(通渭县、陇西县、安定区、临洮县、渭源县、岷县、漳县)

西双版纳傣族自治州(勐腊县、景洪市、勐海县)

阳江市(江城区、阳西县、阳春市、阳东区)

东莞市

廊坊市(固安县、香河县、文安县、大厂回族自治县、三河市、广阳区、霸州市、安次区、大城县、永清县)

通辽市(科尔沁左翼后旗、扎鲁特旗、科尔沁左翼中旗、霍林郭勒市、科尔沁区、库伦旗、奈曼旗、开鲁县)

玉树藏族自治州(治多县、玉树市、囊谦县、称多县、曲麻莱县、杂多县)

中山市

临沂市(兰陵县、费县、沂水县、平邑县、沂南县、郯城县、罗庄区、兰山区、河东区、莒南县、蒙阴县、临沭县)

南通市(如东县、启东市、通州区、崇川区、如皋市、海安市、海门区)

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鹤壁市(淇滨区、山城区、浚县、鹤山区、淇县)

珠海市(香洲区、金湾区、斗门区)

菏泽市(牡丹区、郓城县、定陶区、巨野县、东明县、鄄城县、成武县、单县、曹县)

乐山市(峨眉山市、沙湾区、峨边彝族自治县、井研县、市中区、夹江县、金口河区、马边彝族自治县、犍为县、五通桥区、沐川县)  杭州市(西湖区、萧山区、滨江区、余杭区、上城区、拱墅区、临平区、建德市、临安区、淳安县、富阳区、钱塘区、桐庐县)

淮安市(清江浦区、金湖县、涟水县、淮安区、淮阴区、盱眙县、洪泽区)

苏州市(吴江区、张家港市、太仓市、吴中区、姑苏区、昆山市、常熟市、相城区、虎丘区)

东营市(垦利区、广饶县、河口区、东营区、利津县)淮北市(相山区、濉溪县、杜集区、烈山区)

晋中市(榆社县、介休市、太谷区、灵石县、祁县、左权县、榆次区、和顺县、平遥县、寿阳县、昔阳县)  海北藏族自治州(门源回族自治县、刚察县、海晏县、祁连县)

广州市(花都区、白云区、增城区、从化区、越秀区、番禺区、天河区、南沙区、海珠区、荔湾区、黄埔区)

岳阳市(君山区、华容县、云溪区、岳阳县、平江县、汨罗市、岳阳楼区、临湘市、湘阴县)

运城市(夏县、新绛县、万荣县、芮城县、河津市、绛县、稷山县、垣曲县、永济市、盐湖区、平陆县、临猗县、闻喜县)韶关市(曲江区、乐昌市、始兴县、仁化县、武江区、南雄市、乳源瑶族自治县、新丰县、浈江区、翁源县)

黑河市(北安市、逊克县、孙吴县、爱辉区、嫩江市、五大连池市)

连云港市(连云区、灌云县、海州区、灌南县、赣榆区、东海县)

濮阳市(华龙区、台前县、南乐县、清丰县、范县、濮阳县)

张掖市(高台县、民乐县、临泽县、甘州区、肃南裕固族自治县、山丹县)

无锡市(梁溪区、滨湖区、惠山区、锡山区、江阴市、宜兴市、新吴区)

济宁市(邹城市、鱼台县、曲阜市、兖州区、嘉祥县、任城区、泗水县、微山县、汶上县、金乡县、梁山县)

宣城市(绩溪县、宁国市、旌德县、郎溪县、宣州区、广德市、泾县)

吕梁市(离石区、文水县、交城县、兴县、岚县、汾阳市、中阳县、石楼县、临县、方山县、柳林县、交口县、孝义市)

南平市(松溪县、政和县、光泽县、武夷山市、建阳区、建瓯市、浦城县、邵武市、延平区、顺昌县)

泰州市(兴化市、靖江市、海陵区、姜堰区、泰兴市、高港区)

丹东市(振兴区、东港市、振安区、元宝区、宽甸满族自治县、凤城市)

眉山市(洪雅县、仁寿县、丹棱县、彭山区、东坡区、青神县)

锡林郭勒盟(多伦县、苏尼特左旗、阿巴嘎旗、太仆寺旗、苏尼特右旗、镶黄旗、二连浩特市、锡林浩特市、东乌珠穆沁旗、西乌珠穆沁旗、正镶白旗、正蓝旗)

蚌埠市(龙子湖区、怀远县、五河县、淮上区、固镇县、蚌山区、禹会区)

伊犁哈萨克自治州(奎屯市、霍城县、察布查尔锡伯自治县、伊宁县、霍尔果斯市、新源县、特克斯县、巩留县、昭苏县、尼勒克县、伊宁市)

扬州市(仪征市、宝应县、江都区、广陵区、邗江区、高邮市)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。